AMPLIFICADORES DE POTENCIA RF
¿Necesitas amplificadores de potencia de RF para tus sistemas de medición o prueba? ¿Necesitas más potencia de radiofrecuencia para alcanzar el nivel requerido? Ofrecemos amplificadores de potencia de RF especiales para aplicaciones de EMC, RF y RF pulsada. El plazo de entrega de los amplificadores de potencia de RF es de unas 10 semanas (el plazo de entrega de algunos artículos varía)
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Amplificadores de potencia RF
DC a 6 GHz
Hasta 8000 W
Fabricado en el Reino Unido
Este amplificador de RF de 1-6GHz se ha enviado recientemente a nuestro cliente.
LISTA DE MODELOS
La Lista de modelos muestra los distintos tipos de amplificadores de potencia de RF que ofrecemos.
| Código de pedido | Gama de frecuencias | Potencia | Descripción |
| TVBA100-30 | 10 kHz-100 MHz | 30W |
Clase A para la máxima baja distorsión y tolerancia a cargas adversas
Sin repliegue ni desconexión con alta reflexión Etapas de salida MOSFET push-pull de silicio para reducir el contenido armónico. |
| TVBA100-110 | 10kHz-100MHz | 110W | |
| TVBA100-200 | 10kHz-100MHz | 200W | |
| TVBA100-400 | 10kHz-100MHz | 400W | |
| TVBA100-900 | 10kHz-100MHz | 900W | |
| TVBA100-1100 | 10kHz-100MHz | 1100W | |
| TVBA100-3000 | 10kHz-100MHz | 3000W | |
| TVBA230-22 | 150 kHz-230 MHz | 22W |
Clase A para la máxima baja distorsión y tolerancia a cargas adversas
Sin repliegue ni desconexión con alta reflexión Etapas de salida MOSFET push-pull de silicio para reducir el contenido armónico |
| TVBA230-35 | 150kHz-230MHz | 35W | |
| TVBA230-80 | 150kHz-230MHz | 80W | |
| TVBA250-80 | 10kHz-250MHz | 80W |
Robusto diseño de salida push-pull MOSFET de silicio
Combinador de diseño propio de alta eficiencia Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Requisitos generales de potencia lineal |
| TVBA250-120 | 10kHz-250MHz | 120W | |
| TVBA250-200 | 10kHz-250MHz | 200W | |
| TVBA250-400 | 10kHz-250MHz | 400W | |
| TVBA250-600 | 10kHz-250MHz | 600W | |
| TVBA250-800 | 10kHz-250MHz | 800W | |
| TVBA250-2500 | 10kHz-250MHz | 2500W | |
| TVBA200-3000 | 12-200MHz | 3000W | Robusta tecnología push-pull LDMOS de silicio Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Diseño propio de combinador de alta eficiencia |
| TVBA400-30 | 10 kHz-400 MHz | 30W |
Clase A para la máxima baja distorsión y tolerancia a cargas adversas
Sin repliegue ni desconexión con alta reflexión Etapas de salida MOSFET push-pull de silicio para reducir el contenido armónico |
| TVBA400-80 | 10 kHz-400 MHz | 80W | |
| TVBA400-110 | 10 kHz-400 MHz | 110W | |
| TVBA400-150 | 10 kHz-400 MHz | 150W | |
| TVBA400-260 | 10 kHz-400 MHz | 260W | |
| TVBA400-100 | 1-400 MHz | 100W | |
| TVBA1000-30 | 80-1000 MHz | 30W |
Clase A para la máxima baja distorsión y tolerancia a cargas adversas
Sin repliegue ni desconexión con alta reflexión Etapas de salida FET Push-pull para reducir el contenido armónico |
| TVBA1000-65 | 80-1000 MHz | 65W | |
| TVBA1000-250S | 80-1000 MHz | 250W | |
| TVBA1000-450S | 80-1000 MHz | 450W | |
| TVBA1000-1000S | 80-1000 MHz | 1000W | |
| TVBA1000-35 | 1-1000 MHz | 35W | Robusta tecnología MOSFET push-pull Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Requisitos generales de potencia lineal |
| TVBA1000-45 | 10 kHz-1 GHz | 45W | Controlador de célula GTEM especializado Robusta tecnología MOSFET push-pull Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Requisitos generales de potencia lineal |
| TVBA1000-70 | 10-1000 MHz | 70W | Diseño de GaAs de alta fiabilidad probada Mayor rendimiento y eficiencia que las alternativas de silicio Menor coste que las soluciones comparables de GaN Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Requisitos generales de potencia lineal |
| TVBA1060-25 | 1000-6000 MHz | 25W |
Tecnología GaN
Clase A para un accionamiento de máxima desadaptación Con diseños híbridos en cuadratura de alta eficiencia patentados |
| TVBA2000-50 | 1000-2000 MHz | 50W |
Estado sólido
Diseño de GaAs de alta fiabilidad probada Clase A para un accionamiento de desajuste máximo Requisitos generales de potencia lineal |
| TVBA2000-100 | 1000-2000 MHz | 100W | |
| TVBA2000-2000P | 1-2 GHz | 2000W |
Tecnología GaN de estado sólido
Pruebas RTCA DO-160 Sección 20 Capacidad de onda continua Generación interna de impulsos |
| TVBA2000-4000P | 1-2 GHz | 4000W | |
| TVBA2000-8000P | 1-2 GHz | 8000W |
Los amplificadores de RF que ofrecemos pueden configurarse de cuatro maneras:
- De sobremesa, con conectores frontales
- De sobremesa, con conectores traseros
- Montaje en bastidor, con conectores frontales
- Montaje en bastidor, con conectores traseros
Cuando pidas un amplificador, menciona tu preferencia.
Para solicitar ficha técnica, precio, presupuesto o factura proforma, rellena el siguiente formulario y envíanoslo.
Envío: Enviamos los amplificadores con nuestra cuenta de envío o con tu cuenta de envío. Si enviamos con nuestra cuenta, añadimos los gastos de envío al presupuesto/factura proforma. Si utilizamos tu cuenta de envío, te pediremos tu número de cuenta de envío o te enviaremos los documentos de envío para que puedas organizar el envío/recogida. Los envíos se iniciarán desde el Reino Unido. Podemos realizar envíos internacionales. Recientemente hemos realizado envíos a nuestros clientes de Sudáfrica y Turquía.
Fabricado en / País de origen: Los amplificadores que aparecen en esta página se fabrican en el Reino Unido.
Testups es distribuidor autorizado de Amplificadores de RF Vectawave
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