Técnicas de Medición para Identificar la Sensibilidad de los Fallos Blandos a la ESD

En este post nos gustaría compartir un artículo publicado por el IEEE. Explica la correlación entre la descarga electrostática y los fallos del software. A continuación se indican el título y el resumen del artículo.

Título: Técnicas de medición para identificar la sensibilidad de los fallos blandos a la ESD

Resumen: Los fallos blandos inducidos por descargas electrostáticas (ESD) son un problema crítico para los sistemas electrónicos, ya que los fallos se detectan sobre todo una vez finalizado el diseño del hardware. Cualquier cambio aplicado al hardware puede retrasar el proyecto. Las herramientas de diagnóstico capaces de identificar fallos inducidos por fallos blandos en una fase temprana del diseño del producto ayudan a reducir el riesgo de retrasos en los proyectos inducidos por ESD en una fase tardía. En muchos casos, los fallos blandos pueden observarse directamente mediante la interfaz de usuario, la caída del sistema u otros indicadores evidentes. Sin embargo, en una fase temprana de diseño del producto, el sistema de funcionamiento puede ser marginal y las aplicaciones pueden no estar disponibles. Para mejorar la capacidad de detectar fallos blandos en las decisiones críticas de diseño, este artículo presenta varios métodos para identificar los cambios inducidos por la ESD que pueden no ser observables mediante observación directa. Estos métodos incluyen la observación de corrientes de c.a. o c.c., la supervisión de tensiones de c.c., la captación de campos cercanos y su procesamiento mediante la transformada rápida de Fourier (FFT) a corto plazo, la transformación de ondículas, la mezcla descendente hasta el rango audible y la supervisión de enclavamientos mediante imágenes térmicas. El documento presenta la base de cada método, muestra ejemplos y los compara por su capacidad de detección.

J. Zhou et al., «Measurement Techniques to Identify Soft Failure Sensitivity to ESD», en IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, vol. II, p. 1. 62, no. 4, pp. 1007-1016, ago. 2020, doi: 10.1109/TEMC.2019.2926962.

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